主要型號:
型號 | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大(dà)峰值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特點:
A 可選擇三角波、矩形波、正弦波三種波形,波形的蕞高值和蕞低值可(kě)獨立(lì)設置。
B輸(shū)出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形波占空(kōng)比10%~90%
E 可選擇手(shǒu)動控製/模擬量接口控製(zhì),可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調(diào)製技(jì)術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關(guān)器件(jiàn),
體積(jī)小、重量輕(qīng)、功能全、性能穩定可靠(kào),生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先(xiān)進的DSP控製係統,充分保證鍍膜(mó)工(gōng)藝的重(chóng)複性,
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短路功能,
具有極佳的負載匹配能力,既保(bǎo)證了靶麵清洗工藝的穩定性,又(yòu)提高了靶麵(miàn)清洗速度;
主要參數均可大範圍連續調節;
方(fāng)便維護(hù),可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能,方便實現自(zì)動化控製。
主(zhǔ)要用途:
MS係列勵(lì)磁多波形(xíng)電源選擇多種電壓波形輸出。通過驅動多弧靶外圍磁場線圈,產(chǎn)生周期性可變(biàn)磁磁場,使多弧輝光由原來的集中放電變為均勻放電,提(tí)高工件膜層質量
現(xiàn)在工業區,在範圍上擴展的是越來越廣,跟隨国产成人AV三级在线观看行業的發展,現在機械設備研發的是越來越多,當然啦(lā),研發那麽多,在一些加工廠家肯定是要應用到的啦,在範圍上(shàng),在數量上都不會少,現在国产成人AV三级在线观看來了解下真空鍍膜電(diàn)源這項項(xiàng)目吧!
1、在光學儀器中:人們熟悉的光學儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀(yí),以(yǐ)及日常生活用品中的鏡子、眼(yǎn)鏡(jìng)、放大(dà)鏡等,它們都離不開鍍膜技術,鍍製的薄(báo)膜有(yǒu)反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。
2、在信息(xī)存儲領域中:薄膜材料作(zuò)為信息記錄於存儲介質,有其得天獨厚的優勢:由於(yú)薄(báo)膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁化(huà)反(fǎn)轉極為迅速;與膜麵平行的(de)雙穩態(tài)狀態容易保持等。為(wéi)了更(gèng)精密(mì)地記錄與存儲信(xìn)息(xī),必然要采用鍍膜技術。
3、在傳感器(qì)方麵:在傳感器(qì)中,多采用那些電氣性質相對(duì)於物理量、化學量及其(qí)變化(huà)來(lái)說,極為敏感(gǎn)的半導體材料(liào)。此外,其中(zhōng),大多數利用的是半導體的表麵、界麵的性質,需要盡量(liàng)增大其麵積,且能工業化、低價格製(zhì)作,因此,采用薄膜的情況很(hěn)多(duō)。
4、在集成電路製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多(duō)是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬技(jì)術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見,氣相沉積是製備集成電路的核(hé)心(xīn)技術之一。