脈衝磁控濺射是一種(zhǒng)用矩形波電壓脈衝電源代替傳統直流電源的方(fāng)法。脈衝濺射可以有效抑製電弧的產生,消除由此(cǐ)產生的薄膜缺陷,同時可以提高濺射的沉積速率,降低沉積(jī)溫度(dù)等一係列顯著優點,是濺射絕緣材料沉積的工藝。
脈衝磁控濺射的工作原理
一個周期有正電壓和負電(diàn)壓兩個階段,在負電壓段,電源對靶材的(de)濺射起作用,正電(diàn)壓段引入電子和靶材表麵積(jī)累的正電荷,使表麵清潔,露出金屬表麵。
施加在靶材上的脈衝(chōng)電壓與普通(tōng)磁控濺射相同!對於400~500V,電源(yuán)頻率在10~350KHz,在保證放電穩定的前(qián)提下,應盡可能取(qǔ)低的頻率#因為等離子體中的(de)電子相對於離子具有較高的遷移率,所以正電壓值隻需要負電壓(yā)的10%-20%,就可以有效地中和積累在(zài)靶表麵上的(de)正電荷。占空(kōng)比的(de)選擇確保了濺射過程中靶表麵上的累積電荷可(kě)以在正電壓階段完全中(zhōng)和,從而盡可能提高占(zhàn)空比(bǐ),實現電源的大效率。
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