上海HVB高壓雙（shuāng）極清洗電（diàn）源

主要型號：

主要特點：

   A 采用先進（jìn）的電流型開關電源技術，減小輸出儲能（néng）元件，
同時提高了抑（yì）製打火及重啟速度。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。
   C 具有理想（xiǎng）的（de）電壓陡降特性，自動（dòng）識別偽打火現象，
充分滿足轟擊清洗過程的連續性。
   D 主要參數可大範圍（wéi）調（diào）節。
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或（huò）MOSFET作為功率開關（guān）器件（jiàn），
體積小、重（chóng）量輕、功能全、性能穩定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統，充分保證鍍膜工藝的重複性，
並且（qiě）具有抑製（zhì）靶材弧（hú）光放電及抗短路功能，
具有極（jí）佳的負載匹配能力，既保證了靶麵清洗工藝的穩定性，又提高了靶麵清（qīng）洗速度；
主（zhǔ）要參數均可大範圍連續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功（gōng）能，方便實現自動（dòng）化控製（zhì）。

主要用途：

MSB高（gāo）壓雙極清洗電源適用於工件鍍膜前的高（gāo）壓轟擊清洗和鍍矽油保（bǎo）護膜。

在高技術產業化的發展中展現出誘人的市場前景。這種的真空鍍膜技（jì）術已在國民經濟各個領域得到應用。真空鍍膜技術是真空應用技術的一個重要分支，它已廣泛地（dì）應 用於光學（xué）、電子學（xué）、能源開發、理化（huà）儀器、建築機械、包裝、民用製品、表麵科學以及科學研（yán）究（jiū）等領域中。真空鍍膜所采用（yòng）的方法主要有蒸發鍍．濺射（shè）鍍、離子鍍、束流沉積鍍以（yǐ）及分子束外（wài）延等。這種真空鍍膜電源優勢會體現的比較明顯。

選用了領先的PWM脈寬調製技術，具有傑出的動態特性和抗幹擾才能，動態呼應時刻小於10mS。規劃有電壓、電流雙閉環操控電路，可實時（shí）對輸出電壓電流的操控，能有用處理濺射過程中陰極靶麵的不清潔（jié）導致弧光放電造成大電流（liú）衝擊導（dǎo）致電源的損壞疑（yí）問。選用（yòng）數（shù）字化DSP操控技術，主動操控（kòng）電源的（de）恒壓恒流狀況。在起弧和維弧時能主動疾速操（cāo）控電（diàn）壓電（diàn）流使起（qǐ）弧和維弧（hú）作業更安穩。

真空室裏的堆積條件跟著時刻發（fā）作（zuò）改動是常見的表象（xiàng）。在一輪運轉過中，蒸發源的（de）特（tè）性會跟（gēn）著膜材（cái）的耗（hào）費而改動（dòng），尤其是規劃中觸及多層鍍膜時，假（jiǎ）如（rú）技術進程（chéng）需繼續數個小時，真空室的熱梯度也會上升。一起，當真空室內壁發作（zuò）堆積變髒時，不一樣次序的工效逐步發生區別。這些（xiē）要素雖（suī）然是漸進（jìn）的並可以進行抵償，但仍然大概將其視為體係公役的一部分。