北京MSB中頻磁控濺射真空鍍膜電源

主要型號：

主要（yào）特點（diǎn）：

   A 采用先進的電流型開關（guān）電源（yuán）技術，減小輸出儲（chǔ）能元件，
同時（shí）提高了抑製打火及重啟速度（dù），應用在（zài）鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流/恒功率模式（shì）可選。恒功率模式相對於傳統的恒流模式（shì），
更能保證鍍膜工藝（yì）的重複性。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自動識別偽打火現象，
充分滿足磁控濺射工藝（yì）過程（chéng）的連續（xù）性。
   D 主要參數可大範圍調節
   E 可選擇手動控製/模擬量接（jiē）口控（kòng）製（zhì），可選配RS485通訊（xùn）接口。
采用先進的PWM脈寬調製（zhì）技術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠，生產工藝嚴（yán）格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統，充分保證鍍膜工藝的重複性，
並且具有抑（yì）製（zhì）靶材弧光放（fàng）電及抗短路功能，
具有極（jí）佳（jiā）的負載匹配能力（lì），既保證了靶麵清（qīng）洗工藝的穩定性，又提高了靶（bǎ）麵清（qīng）洗（xǐ）速度；
主要參數均可大範圍連續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接（jiē）口（kǒu）擴展功能，方便實現自（zì）動化控（kòng）製。

MSB係列雙極脈衝磁（cí）控濺射電源（中頻電源）

主要用途：

雙（shuāng）極脈衝磁（cí）控（kòng）濺射電源（yuán）用（yòng）於中頻孿生靶磁控濺金屬或非金屬材料，特別適合（hé）於反應磁控濺射（shè）。能增加離化率，減少電荷積累引起的異常放電，預防靶表麵（miàn）中毒現象。

在真空鍍膜（mó）電源時，使用直流負偏（piān）壓電源，其中運用直流電（diàn）源，這個電源的電子方向一直（zhí）統一（yī），會導致單（dān）一品種電荷堆積過高與控製源中和（hé）。也就是說用來（lái）提供動力的正負極被中和了。然後磁控濺射將不再持續。所以選用脈衝電源。

在真空中製備膜層，包含鍍製晶態的（de）金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相堆積也（yě）選用減壓、低壓或等離子體等（děng）真空手法，但一般真空鍍膜是指用物理的辦法堆積薄膜。真空鍍膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜技能初現於20世紀30年代，四（sì）五十年代開端呈現（xiàn）工業（yè）使用，工業化大規模出產開端於20世紀80年代（dài），在（zài）電子、宇航、包裝、裝潢（huáng）、燙金印刷等（děng）工業中獲得（dé）廣泛的（de）使用。真空鍍（dù）膜是指在真空環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的（de）方式堆積到資料外表（通常是（shì）非金屬資料），歸於物理氣相堆積工藝。由於鍍層常為金屬薄膜（mó），故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包含在金屬或非金屬資料外表真空蒸（zhēng）鍍聚合物等非金屬功用性薄（báo）膜。在所有被鍍資猜中，以塑料樶為常見，其次，為紙張鍍膜。相對於金屬、陶瓷、木材等資料，塑料具（jù）有來曆充足、性能易於調控、加工方便等優勢，因此品種繁多的塑料或（huò）其他高分子資料作為工程（chéng）裝修性結構資料，大量使用於轎車、家電、日用包裝、工藝裝修等工業（yè）領域。但塑料資料大多（duō）存（cún）在外表硬度不高、外觀不（bú）行華麗、耐磨性低等缺點，如在塑料外表蒸鍍一（yī）層極薄（báo）的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金（jīn）屬（shǔ）外觀，合適的金屬源（yuán）還可大大增加資料（liào）外表耐磨（mó）性能，大大拓（tuò）寬了塑料（liào）的裝修性和使用範圍（wéi）。

真空鍍膜（mó）的（de）功用是多方麵的，這也決議了其使（shǐ）用場合非常豐富。整體來說，真空鍍膜的主要功用包含賦予被鍍件外表高度金屬光澤和鏡麵效果，在薄膜資料上使膜（mó）層（céng）具有超卓（zhuó）的隔絕性能（néng），提供優異的電磁屏蔽和導電效果。